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【ITBEAR科技资讯】5月12日消息，在全球半导体市场不景气的背景下，韩国三星电子积极加大对尖端代工设施的投资，努力在芯片制程工艺领域保持竞争优势。三星电子近期宣布，在3nm制程工艺上取得重大突破，并比台积电更早实现量产，成为首家量产3nm芯片的公司，领先半年的时间窗口为其带来了市场优势。

据ITBEAR科技资讯了解，三星电子一直以来以存储芯片见长，在NAND闪存和DRAM市场上占据领先地位，并且存储芯片在其半导体业务中占据60-70%的比例。然而，由于去年下半年开始的全球芯片需求下滑，三星电子也受到了影响。存储芯片业务的营收连续三个季度同比环比大幅下滑，设备解决方案部门的营收和利润也有所下滑。今年一季度，三星电子的半导体业务出现了4.58万亿韩元的营业亏损。

尽管存储芯片业务受到挑战，但三星电子仍然坚定地投资于尖端代工设施。据业内人士透露，三星电子加速了晶圆代工产能扩张方面的投资。他们计划在今年四季度开始量产位于平泽的P3工厂新晶圆代工生产线，并有报道称最早在5月份开始试运行。这一举措表明，三星电子在3nm制程工艺的领先地位不仅是技术上的突破，也是他们对未来市场需求的积极响应。

三星电子此次在3nm制程工艺上的量产突破，将进一步巩固其在半导体行业的地位。尽管存储芯片业务面临挑战，但通过加大对晶圆代工设施的投资，三星电子有望扩大其芯片制造业务的市场份额。在全球半导体市场竞争日趋激烈的情况下，三星电子的努力和投资将为其带来更多机遇和发展空间。