无锡吴越半导体氮化镓GaN晶体出片，全球首例厚度突破1厘米

　　12 月 15 日，吴越半导体 GaN 晶体出片仪式在无锡高新区举行。

　　据无锡高新区消息，仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署 A 轮融资战略框架协议。

　　图片来源：无锡高新区在线

　　无锡吴越半导体有限公司成立于 2019 年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专注于氮化镓自支撑衬底的开发、生产和销售。

　　2020 年 2 月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，项目建成投产后，可填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓原材料领域的空白。